掃描電子顯微鏡（SEM）是一種介于透射電子顯微鏡和光學(xué)顯微鏡之間的一種觀(guān)察手段。其利用聚焦的很窄的高能電子束來(lái)掃描樣品，通過(guò)光束與物質(zhì)間的相互作用，來(lái)激發(fā)各種物理信息，對(duì)這些信息收集、放大、再成像以達(dá)到對(duì)物質(zhì)微觀(guān)形貌表征的目的。新式的掃描電子顯微鏡的分辨率可以達(dá)到1nm；放大倍數(shù)可以達(dá)到30萬(wàn)倍及以上連續(xù)可調(diào)；并且景深大，視野大，成像立體效果好。此外，掃描電子顯微鏡和其他分析儀器相結(jié)合，可以做到觀(guān)察微觀(guān)形貌的同時(shí)進(jìn)行物質(zhì)微區(qū)成分分析。

掃描電鏡的優(yōu)點(diǎn)

①有較高的放大倍數(shù)，20-20萬(wàn)倍之間連續(xù)可調(diào)；
②有很大的景深，視野大，成像富有立體感，可直接觀(guān)察各種試樣凹凸不平表面的細(xì)微結(jié)構(gòu)；
③試樣制備簡(jiǎn)單。

影響掃描電鏡（SEM）的幾大要素
分辨率
影響掃描電鏡的分辨本領(lǐng)的主要因素有：
A. 入射電子束束斑直徑：為掃描電鏡分辨本領(lǐng)的極限。一般，熱陰極電子槍的最小束斑直徑可縮小到6nm，場(chǎng)發(fā)射電子槍可使束斑直徑小于3nm。
B. 入射電子束在樣品中的擴(kuò)展效應(yīng)：擴(kuò)散程度取決于入射束電子能量和樣品原子序數(shù)的高低。入射束能量越高，樣品原子序數(shù)越小，則電子束作用體積越大，產(chǎn)生信號(hào)的區(qū)域隨電子束的擴(kuò)散而增大，從而降低了分辨率。

C. 成像方式及所用的調(diào)制信號(hào)：當(dāng)以二次電子為調(diào)制信號(hào)時(shí)，由于其能量低(小于50 eV)，平均自由程短（10~100 nm左右），只有在表層50～100 nm的深度范圍內(nèi)的二次電子才能逸出樣品表面， 發(fā)生散射次數(shù)很有限，基本未向側(cè)向擴(kuò)展，因此，二次電子像分辨率約等于束斑直徑。

原子序數(shù)襯度指掃描電子束入射試祥時(shí)產(chǎn)生的背散射電子、吸收電子、X射線(xiàn)，對(duì)微區(qū)內(nèi)原子序數(shù)的差異相當(dāng)敏感。原子序數(shù)越大，圖像越亮。二次電子受原子序數(shù)的影響較小。高分子中各組分之間的平均原子序數(shù)差別不大；所以只有—些特殊的高分子多相體系才能利用這種襯度成像